Article

Etude du champ lointain de la double hétérostructure laser GaInAsSb/GaAlAsSb


Messanh A. MOHOU, Laboratoire de physique des composants à semi-conducteurs (LPCS), Département de physique, FDS, Université de Lomé, BP 1515 Lomé, Togo Milohum M. DZAGLI, Laboratoire de physique des composants à semi-conducteurs (LPCS), Département de physique, FDS, Université de Lomé, BP 1515 Lomé, Togo Komlan S. GADEDJISSO-TOSSOU, Laboratoire de physique des composants à semi-conducteurs (LPCS), Département de physique, FDS, Université de Lomé, BP 1515 Lomé, Togo
Date de publication : 1 janvier 2009

Résumé

La théorie électromagnétique de la double hétérostructure (DH) laser Ga1-xAlxAsySb1-y/Ga1-x’Inx’Asy’Sb1-y’/Ga1-xAlxAsySb1-y a été réalisée à partir des équations de Maxwell, Huyghens et Fraunhofer. Elle a permis d’établir l’expression du champ lointain dans le plan orthogonal à l’hétérojonction.

L’optimisation de la structure laser a permis d’établir les conditions pour un meilleur couplage  de la DH laser avec la fibre optique. En particulier, nous montrons que le champ perpendiculaire dépend de la différence d’indices  ∆n= (n2 – n1).



Pour citer cet article

Messanh A. MOHOU, Milohum M. DZAGLI et Komlan S. GADEDJISSO-TOSSOU. «Etude du champ lointain de la double hétérostructure laser GaInAsSb/GaAlAsSb». Afrique Science, Vol.5, N°1 (2009), 1 janvier 2009, http://www.afriquescience.info/document.php?id=1296. ISSN 1813-548X.