Dans ce travail nous avons élaboré des couches minces de CIS (CuInS2) par la technique de pulvérisation atomique dite « Spray pyrolysis » sur des substrats en verre préchauffés à partir de solution chimique à base de chlorure de cuivre, chlorure d’indium et la thiourée. Ensuite nous avons étudié l’effet du couple température du substrat sur l’élaboration du ternaire CIS en utilisant les différentes techniques de caractérisation : diffraction des rayons X (XRD), microscopie électronique de balayage (MEB), l’analyse élémentaire (EDX), la transmission et spectroscopie Raman.
Les résultats expérimentaux obtenus ont permis de vérifier que les couches de CIS sont relativement uniformes sur les substrats préchauffés à 375°C et pendant un temps de pulvérisation de 90 min, l’analyse structurale par diffraction des rayons X a montré que tous les films déposés sont de structure chalcopyrite avec une orientation préférentielle selon la direction <112>. Les mesures optiques ont montré que les couches déposées dans les conditions (375°C - 90 min) présentent une énergie de gap de 1,5 eV une valeur optimale pour un bon absorbeur.