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Modélisation des sources de bruit dans les dispositifs MOS

A. Guen Bouazza
H. Sahraoui
B. Bouazza
K. E. Ghaffour
N. E. Chabane Sari, Unité de recherche des matériaux et énergies renouvelables, faculté des sciences de l’ingénieur, Département d’Electronique, Université Abou-Bekr-Belkaid de Tlemcen, BP 119, Tlemcen 13000, Algérie.

Date de publication : 1 septembre 2005

Résumé

Nous présentons dans ce travail les origines physiques des deux sources principales du bruit dans le transistor MOS (métal-oxyde-semiconducteur), et leur modélisation. Dans la première partie, nous nous intéressons au bruit en 1/f dit le "flicker noise". La seconde partie de ce travail porte sur le bruit thermique et l'impact de la longueur du canal sur ce bruit. Le bruit induit au niveau de la grille dit "induced gate noise" est également présenté.

Pour citer cet article

A. Guen Bouazza, H. Sahraoui, B. Bouazza, K. E. Ghaffour et N. E. Chabane Sari. «Modélisation des sources de bruit dans les dispositifs MOS». Afrique Science, Vol.1, N°2 (2005), 1 septembre 2005, http://www.afriquescience.info/document.php?id=209. ISSN 1813-548X.