La réalisation de l‘émetteur d‘une cellule solaire au silicium est une étape très importante et critique dans le procédé de fabrication des photopiles en silicium. En effet, la concentration en surface du phosphore ou du bore et la profondeur de la jonction déterminent le rendement de conversion photovoltaïque des cellules solaires au silicium. Plusieurs techniques sont utilisées pour la réalisation des émetteurs n+p et n+pp+ parmi lesquelles la diffusion en phase vapeur, l‘implantation ionique et la diffusion à partir de sources solides.
Ce travail sera consacré à la réalisation d‘émetteurs par diffusion de sources solides que nous avons élaboré par la méthode sol gel associé au spin coating sur silicium polix monocristallins et polycristallins. Les solutions de dopage ont été préparées par la méthode sol gel en utilisant le methyltriethoxysilane « MTEOS » ou le tétraethoxysilane « TEOS » et l‘acide phosphorique H4PO3 comme précurseurs par émulsion d‘acide phosphorique dans l‘isopropanol pour la jonction n+, et l’acide borique H3BO3 ou l’aluminium pour la jonction p+. Cette expérience nous a permis d’étudier les propriétés électriques des émetteurs n+p et n+pp+ par la méthode des quatre pointes, les résultats des mesures effectuées ont montré des valeurs de la résistance carrée R□ comparables aux résultats de la littérature et confirme la diffusion du phosphore et du bore à partir des sources solides de diffusion préparées par sol gel.