Vol.11, N°5 (2015)

Formation de l’émetteur d’une photopile au silicium à partir de sources de diffusion obtenues par Dip Coating

Résumé

Dans cet article, la technique de revêtement par immersion (Dip Coating) est utilisée pour la réalisation de l'émetteur d'une cellule solaire au silicium qui est une étape très importante et critique dans la technologie photovoltaïque.

Plusieurs techniques sont utilisées pour la réalisation des jonctions n⁺p parmi lesquelles l'implantation ionique, la diffusion en phase vapeur et la diffusion à partir de sources solides sont les plus communes. Dans ce travail, l’émetteur est réalisé par diffusion de sources solides que nous avons élaborées par le procédé sol-gel associé au revêtement par immersion sur des plaquettes de silicium monocristallines et polycristallines. Les solutions de dopage ont été préparées par un procédé sol-gel en utilisant le tétraéthoxysilane "TEOS", le méthyltriéthoxysilane "MTEOS" et l'acide phosphorique (H₃PO₄) en tant que précurseur par émulsion de l’acide phosphorique dans de l'isopropanol. Cette expérience nous a permis d'étudier les propriétés électriques des émetteurs en utilisant la technique de quatre pointes.

Les résultats des mesures ont montré que les valeurs de la résistance carrée (R □) obtenue par revêtement par immersion sont comparables à ceux obtenus dans nos travaux antérieurs avec la technique de revêtement par centrifugation.

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